DMP1011UCB9-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMP1011UCB9-7
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 4V
Vgs (Max)	-6V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	890mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 2A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	U-WLB1515-9
Paquet / cas	9-UFBGA, WLBGA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMP1005UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	Détails
DMP1005UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	Détails
DMP1009UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	Détails
DMP1009UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	Détails
DMP1011LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Détails
DMP1011LFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Détails
DMP1011UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9	Détails
DMP1012UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A	Détails
DMP1012UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V U-DFN2020-6	Détails
DMP1012UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V 24V U-DFN2020-6	Détails