DMP1011UCB9-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP1011UCB9-7
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	8V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 4V
Vgs (Max)	-6V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	890mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 2A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	U-WLB1515-9
Paket / Fall	9-UFBGA, WLBGA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP1005UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	Einzelheiten
DMP1005UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	Einzelheiten
DMP1009UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	Einzelheiten
DMP1009UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	Einzelheiten
DMP1011LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Einzelheiten
DMP1011LFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Einzelheiten
DMP1011UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9	Einzelheiten
DMP1012UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A	Einzelheiten
DMP1012UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V U-DFN2020-6	Einzelheiten
DMP1012UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V 24V U-DFN2020-6	Einzelheiten