DMP1011UCB9-7 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
DMP1011UCB9-7 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
8V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
10A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
10.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1060pF @ 4V |
Vgs (Max) |
-6V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
890mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
10 mOhm @ 2A, 4.5V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
U-WLB1515-9 |
Paket / Fall |
9-UFBGA, WLBGA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR DMP1011UCB9-7