DMP1012UCB9-7

DMP1012UCB9-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMP1012UCB9-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 10A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2632500 pcs
Referenzpreis
USD 0.3302/pcs
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DMP1012UCB9-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMP1012UCB9-7
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 8V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 4V
Vgs (Max) -6V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 890mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 2A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket U-WLB1515-9
Paket / Fall 9-UFBGA, WLBGA
Gewicht -
Ursprungsland -

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