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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMP1012UCB9-7
DMP1012UCB9-7

DMP1012UCB9-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMP1012UCB9-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET P-CH 8V 10A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMP1012UCB9-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2632500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.3302/pcs
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DMP1012UCB9-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMP1012UCB9-7
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 4V
Vgs (massimo) -6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 890mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 2A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore U-WLB1515-9
Pacchetto / caso 9-UFBGA, WLBGA
Peso -
Paese d'origine -

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