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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMP1011LFV-13
DMP1011LFV-13

DMP1011LFV-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMP1011LFV-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMP1011LFV-13 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
84981 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.3023/pcs
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DMP1011LFV-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMP1011LFV-13
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 913pF @ 6V
Vgs (massimo) -6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.16W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 12A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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