DMP1012UFDF-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMP1012UFDF-7
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	12.6A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1344pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	720mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	U-DFN2020-6
Paquet / cas	6-UDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMP1005UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	Détails
DMP1005UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 26A UDFN2020-6	Détails
DMP1009UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	Détails
DMP1009UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6	Détails
DMP1011LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Détails
DMP1011LFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Détails
DMP1011UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9	Détails
DMP1012UCB9-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 8V 10A	Détails
DMP1012UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V U-DFN2020-6	Détails
DMP1012UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V 24V U-DFN2020-6	Détails