C2M1000170J Подробное описание
| номер части |
C2M1000170J |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
N-Channel |
| Технологии |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
1700V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
5.3A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3.1V @ 500µA (Typ) |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
13nC @ 20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
200pF @ 1000V |
| Vgs (Макс.) |
+25V, -10V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
78W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
1.4 Ohm @ 2A, 20V |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
D2PAK (7-Lead) |
| Упаковка / чехол |
TO-263-7 (Straight Leads) |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ C2M1000170J
