C2M1000170J - Cree/Wolfspeed

Artikelnummer	C2M1000170J
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1700V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 500µA (Typ)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 1000V
Vgs (Max)	+25V, -10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	78W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2A, 20V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK (7-Lead)
Paket / Fall	TO-263-7 (Straight Leads)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
C2M1000170D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247	Einzelheiten
C2M1000170J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247	Einzelheiten
C2M1000170J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247	Einzelheiten