C2M1000170J - Cree/Wolfspeed

Numéro d'article	C2M1000170J
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 500µA (Typ)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 1000V
Vgs (Max)	+25V, -10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK (7-Lead)
Paquet / cas	TO-263-7 (Straight Leads)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
C2M1000170D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247	Détails
C2M1000170J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247	Détails
C2M1000170J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247	Détails