C2M1000170J Description détaillée
| Numéro d'article |
C2M1000170J |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
N-Channel |
| La technologie |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
1700V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
5.3A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3.1V @ 500µA (Typ) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
13nC @ 20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
200pF @ 1000V |
| Vgs (Max) |
+25V, -10V |
| FET Caractéristique |
- |
| Dissipation de puissance (Max) |
78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.4 Ohm @ 2A, 20V |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur |
D2PAK (7-Lead) |
| Paquet / cas |
TO-263-7 (Straight Leads) |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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