C2M1000170J-TR Подробное описание
номер части |
C2M1000170J-TR |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
SiCFET (Silicon Carbide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
1700V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
5.3A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
20V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.1V @ 500µA (Typ) |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
13nC @ 20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
200pF @ 1000V |
Vgs (Макс.) |
+25V, -10V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
78W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
1.4 Ohm @ 2A, 20V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
D2PAK-7 |
Упаковка / чехол |
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ C2M1000170J-TR