C2M1000170J-TR Descrizione dettagliata
Numero di parte |
C2M1000170J-TR |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
1700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
5.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
20V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.1V @ 500µA (Typ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
13nC @ 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
200pF @ 1000V |
Vgs (massimo) |
+25V, -10V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
78W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.4 Ohm @ 2A, 20V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
D2PAK-7 |
Pacchetto / caso |
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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