| номер части | CTLDM8120-M621H TR |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 950mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
| Vgs (Макс.) | 8V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 200pF @ 16V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta) |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | TLM621H |
| Упаковка / чехол | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
CTLDM8002A-M621 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | подробности |
|
CTLDM8002A-M621 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | подробности |
 |
CTLDM8002A-M621H | CENTRAL | SURFACE MOUNT TLM P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET | подробности |
|
CTLDM8002A-M621H BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | подробности |
|
CTLDM8002A-M621H TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | подробности |
|
CTLDM8120-M621H BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V DFN6 | подробности |
|
CTLDM8120-M621H TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V DFN6 | подробности |
|
CTLDM8120-M832DS BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET DUAL N-CHANNEL | подробности |
|
CTLDM8120-M832DS TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET DUAL N-CHANNEL | подробности |
