CTLDM8120-M621H TR

CTLDM8120-M621H TR - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article
CTLDM8120-M621H TR
Fabricant
Central Semiconductor Corp
Brève description
MOSFET P-CH 20V DFN6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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15242 pcs
Prix ​​de référence
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CTLDM8120-M621H TR Description détaillée

Numéro d'article CTLDM8120-M621H TR
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 950mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.56nC @ 4.5V
Vgs (Max) 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 16V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TLM621H
Paquet / cas 6-XFDFN Exposed Pad
Poids -
Pays d'origine -

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