| Numéro d'article | CTLDM8120-M621H TR |
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| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 950mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.6W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TLM621H |
| Paquet / cas | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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CTLDM8002A-M621 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | Détails |
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CTLDM8002A-M621 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | Détails |
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CTLDM8002A-M621H | CENTRAL | SURFACE MOUNT TLM P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET | Détails |
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