CTLDM8120-M832DS TR - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	CTLDM8120-M832DS TR
État de la pièce	Obsolete
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.56nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 16V
Puissance - Max	1.65W
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-TDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	TLM832DS
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CTLDM8120-M621H BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V DFN6	Détails
CTLDM8120-M621H TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V DFN6	Détails
CTLDM8120-M832DS BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET DUAL N-CHANNEL	Détails
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