CTLDM8120-M832DS TR - Central Semiconductor Corp

Numero di parte: CTLDM8120-M832DS TR
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Breve descrizione: MOSFET DUAL N-CHANNEL
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data: New
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Numero di parte	CTLDM8120-M832DS TR
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.56nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 16V
Potenza - Max	1.65W
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-TDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	TLM832DS
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
CTLDM8120-M621H BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V DFN6	Dettagli
CTLDM8120-M621H TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V DFN6	Dettagli
CTLDM8120-M832DS BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET DUAL N-CHANNEL	Dettagli
CTLDM8120-M832DS TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET DUAL N-CHANNEL	Dettagli