CTLDM8120-M621H TR - Central Semiconductor Corp

Numero di parte: CTLDM8120-M621H TR
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Breve descrizione: MOSFET P-CH 20V DFN6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	CTLDM8120-M621H TR
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	950mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.56nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TLM621H
Pacchetto / caso	6-XFDFN Exposed Pad
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
CTLDM8002A-M621 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	Dettagli
CTLDM8002A-M621 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	Dettagli
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