CTLDM8002A-M621H TR - Central Semiconductor Corp

номер части	CTLDM8002A-M621H TR
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	50V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	280mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	0.72nC @ 4.5V
Vgs (Макс.)	20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	70pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.6W (Ta)
Рабочая Температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TLM621H
Упаковка / чехол	6-XFDFN Exposed Pad
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
CTLDM8002A-M621 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	подробности
CTLDM8002A-M621 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	подробности
CTLDM8002A-M621H	CENTRAL	SURFACE MOUNT TLM P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	подробности
CTLDM8002A-M621H BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	подробности
CTLDM8002A-M621H TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	подробности