CTLDM8002A-M621H TR - Central Semiconductor Corp

品番	CTLDM8002A-M621H TR
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	50V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	280mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	0.72nC @ 4.5V
Vgs（最大）	20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	70pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.6W (Ta)
動作温度	-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TLM621H
パッケージ/ケース	6-XFDFN Exposed Pad
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
CTLDM8002A-M621 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	詳細
CTLDM8002A-M621 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	詳細
CTLDM8002A-M621H	CENTRAL	SURFACE MOUNT TLM P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	詳細
CTLDM8002A-M621H BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	詳細
CTLDM8002A-M621H TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	詳細