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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 › DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 - Diodes Incorporated

부품 번호
DMG6601LVT-7
제조사
Diodes Incorporated
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
DMG6601LVT-7 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
97500 pcs
참고 가격
USD 0.0932/pcs
우리의 가격
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DMG6601LVT-7 상세 설명

부품 번호 DMG6601LVT-7
부품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 12.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 422pF @ 15V
전력 - 최대 850mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 업체 장치 패키지 TSOT-26
무게 -
원산지 -

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