DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7 - Diodes Incorporated

부품 번호
DMG6402LVT-7
제조사
Diodes Incorporated
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
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7500 pcs
참고 가격
USD 0.0932/pcs
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DMG6402LVT-7 상세 설명

부품 번호 DMG6402LVT-7
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 11.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 498pF @ 15V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 1.75W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 7A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 TSOT-26
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
무게 -
원산지 -

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