부품 번호 | DMG6602SVT-7 |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N and P-Channel |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.4A, 2.8A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 250µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 13nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 400pF @ 15V |
전력 - 최대 | 840mW |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
공급 업체 장치 패키지 | TSOT-23-6 |
무게 | - |
원산지 | - |