DMG6601LVT-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMG6601LVT-7
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	422pF @ 15V
Puissance - Max	850mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur	TSOT-26
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMG6301UDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363	Détails
DMG6301UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363	Détails
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DMG6402LVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26	Détails
DMG6601LVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT	Détails
DMG6602SVT	ZETEXDIODES	DMG6602SVT ZETEX/DIODES SOT-23.. New Original Stocks	Détails
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