DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMG6602SVTQ-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
New
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15000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1139/pcs
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DMG6602SVTQ-7 Description détaillée

Numéro d'article DMG6602SVTQ-7
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Puissance - Max 840mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur TSOT-26
Poids -
Pays d'origine -

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