DMG6602SVTQ-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMG6602SVTQ-7
Teilstatus	Active
FET Typ	N and P-Channel
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3.4A, 2.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 15V
Leistung max	840mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket	TSOT-26
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMG6601LVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT	Einzelheiten
DMG6602SVT	ZETEXDIODES	DMG6602SVT ZETEX/DIODES SOT-23.. New Original Stocks	Einzelheiten
DMG6602SVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6	Einzelheiten
DMG6602SVTQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26	Einzelheiten
DMG6602SVTX-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR	Einzelheiten