DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMG6602SVTQ-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
15000 pcs
Precio de referencia
USD 0.1139/pcs
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DMG6602SVTQ-7 Descripción detallada

Número de pieza DMG6602SVTQ-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Potencia - Max 840mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor TSOT-26
Peso -
País de origen -

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