DMG6301UDW-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMG6301UDW-7
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.36nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	27.9pF @ 10V
Puissance - Max	300mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	SOT-363
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMG6301UDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363	Détails
DMG6301UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363	Détails
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DMG6402LVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26	Détails
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