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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › DMG6301UDW-7
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG6301UDW-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMG6301UDW-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
397500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0835/pcs
Il nostro prezzo
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DMG6301UDW-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG6301UDW-7
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.36nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27.9pF @ 10V
Potenza - Max 300mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363
Peso -
Paese d'origine -

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