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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 - Diodes Incorporated

品番
DMG6601LVT-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMG6601LVT-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
97500 pcs
参考価格
USD 0.0932/pcs
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DMG6601LVT-7 詳細な説明

品番 DMG6601LVT-7
部品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.8A, 2.5A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 12.3nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 422pF @ 15V
電力 - 最大 850mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤデバイスパッケージ TSOT-26
重量 -
原産国 -

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