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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMG6402LDM-7
DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7 - Diodes Incorporated

品番
DMG6402LDM-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMG6402LDM-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
DMG6402LDM-7.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
37500 pcs
参考価格
USD 0.1233/pcs
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DMG6402LDM-7 詳細な説明

品番 DMG6402LDM-7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.3A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 9.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 404pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.12W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 27 mOhm @ 7A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-26
パッケージ/ケース SOT-23-6
重量 -
原産国 -

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