DMG6602SVTX-7 - Diodes Incorporated

品番	DMG6602SVTX-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N and P-Channel Complementary
FET機能	Standard
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V, 95 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	13nC @ 10V, 9nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	400pF @ 15V, 420pF @ 15V
電力 - 最大	840mW (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤデバイスパッケージ	TSOT-26
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
DMG6601LVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT	詳細
DMG6602SVT	ZETEXDIODES	DMG6602SVT ZETEX/DIODES SOT-23.. New Original Stocks	詳細
DMG6602SVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6	詳細
DMG6602SVTQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V TSOT26	詳細
DMG6602SVTX-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR	詳細