品番 | SCT3030ALGC11 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 650V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 70A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 18V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5.6V @ 13.3mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 104nC @ 18V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1526pF @ 500V |
Vgs(最大) | +22V, -4V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 262W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 39 mOhm @ 27A, 18V |
動作温度 | 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247N |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
重量 | - |
原産国 | - |