SCT3030ALGC11 - Rohm Semiconductor

номер части	SCT3030ALGC11
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	70A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 13.3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	104nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1526pF @ 500V
Vgs (Макс.)	+22V, -4V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	262W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 27A, 18V
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247N
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SCT300-300	Panduit Corp	CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP	подробности
SCT3017ALHRC11	Rohm Semiconductor	AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P	подробности
SCT3022ALGC11	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 650V 93A TO247N	подробности
SCT3022ALHRC11	Rohm Semiconductor	AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P	подробности
SCT3022KLGC11	Rohm Semiconductor	SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR	подробности
SCT3022KLHRC11	Rohm Semiconductor	AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P	подробности
SCT3030ALGC11	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 650V 70A TO247N	подробности
SCT3030ALHRC11	Rohm Semiconductor	AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P	подробности
SCT3030KLGC11	Rohm Semiconductor	MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N	подробности
SCT3030KLHRC11	Rohm Semiconductor	AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P	подробности