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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SCT3030ALGC11
SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11 - Rohm Semiconductor

Numero di parte
SCT3030ALGC11
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SCT3030ALGC11 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
6332 pcs
Prezzo di riferimento
USD 24.72/pcs
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SCT3030ALGC11 Descrizione dettagliata

Numero di parte SCT3030ALGC11
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 13.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1526pF @ 500V
Vgs (massimo) +22V, -4V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 262W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 27A, 18V
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247N
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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