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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SCT3030ALGC11
SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
SCT3030ALGC11
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SCT3030ALGC11 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6332 pcs
Referenzpreis
USD 24.72/pcs
Unser Preis
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SCT3030ALGC11 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SCT3030ALGC11
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 13.3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1526pF @ 500V
Vgs (Max) +22V, -4V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 262W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 27A, 18V
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247N
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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