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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SCT3022KLGC11
SCT3022KLGC11

SCT3022KLGC11 - Rohm Semiconductor

Numero di parte
SCT3022KLGC11
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SCT3022KLGC11 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1547 pcs
Prezzo di riferimento
USD 106.28/pcs
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SCT3022KLGC11 Descrizione dettagliata

Numero di parte SCT3022KLGC11
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 18.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178nC @ 10V
Vgs (massimo) +22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2879pF @ 800V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 427W
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247N
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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