| Numero di parte | SCT3022KLGC11 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | +22V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2879pF @ 800V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 427W |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247N |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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