| Numéro d'article | SCT3022KLGC11 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2879pF @ 800V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 427W |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247N |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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