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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SCT3022ALGC11
SCT3022ALGC11

SCT3022ALGC11 - Rohm Semiconductor

品番
SCT3022ALGC11
メーカー
Rohm Semiconductor
簡単な説明
MOSFET NCH 650V 93A TO247N
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SCT3022ALGC11 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2357 pcs
参考価格
USD 42.08/pcs
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SCT3022ALGC11 詳細な説明

品番 SCT3022ALGC11
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 93A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 18V
Vgs（th）（Max）@ Id 5.6V @ 18.2mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 133nC @ 18V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2208pF @ 500V
Vgs（最大） +22V, -4V
FET機能 -
消費電力（最大） 339W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 28.6 mOhm @ 36A, 18V
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247N
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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