RFD10P03LSM - ON Semiconductor

品番	RFD10P03LSM
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On（Max）@ Id、Vgs	200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	30nC @ 10V
Vgs（最大）	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1035pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	-
動作温度	-
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252-3
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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