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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › RFD10P03LSM
RFD10P03LSM

RFD10P03LSM - ON Semiconductor

品番
RFD10P03LSM
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
RFD10P03LSM PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
43907 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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RFD10P03LSM 詳細な説明

品番 RFD10P03LSM
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On（Max）@ Id、Vgs 200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 30nC @ 10V
Vgs（最大） -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1035pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） -
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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