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RFD12N06RLE - Fairchild/ON Semiconductor

品番: RFD12N06RLE
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: RFD12N06RLE PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: RFD12N06RLE.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3626 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

RFD12N06RLE 詳細な説明

品番	RFD12N06RLE
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	18A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	15nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	485pF @ 25V
Vgs（最大）	±16V
FET機能	-
消費電力（最大）	40W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-251AA
パッケージ/ケース	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量	-
原産国	-

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