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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › RFD12N06RLE
RFD12N06RLE

RFD12N06RLE - Fairchild/ON Semiconductor

品番
RFD12N06RLE
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
RFD12N06RLE PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
RFD12N06RLE.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3824 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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RFD12N06RLE 詳細な説明

品番 RFD12N06RLE
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 18A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 15nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 485pF @ 25V
Vgs（最大） ±16V
FET機能 -
消費電力（最大） 40W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 63 mOhm @ 18A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-251AA
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 -
原産国 -

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