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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › RFD12N06RLE
RFD12N06RLE

RFD12N06RLE - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
RFD12N06RLE
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RFD12N06RLE PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
RFD12N06RLE.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4150 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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RFD12N06RLE detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RFD12N06RLE
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 18A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251AA
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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