| Artikelnummer | RFD10P03LSM |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 10A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1035pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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