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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › RFD10P03LSM
RFD10P03LSM

RFD10P03LSM - ON Semiconductor

Artikelnummer
RFD10P03LSM
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RFD10P03LSM PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
43907 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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RFD10P03LSM detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RFD10P03LSM
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1035pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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