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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › RFD10P03LSM
RFD10P03LSM

RFD10P03LSM - ON Semiconductor

Número de pieza
RFD10P03LSM
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
RFD10P03LSM Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
43907 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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RFD10P03LSM Descripción detallada

Número de pieza RFD10P03LSM
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1035pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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