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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › RFD10P03LSM
RFD10P03LSM

RFD10P03LSM - ON Semiconductor

Numero di parte
RFD10P03LSM
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
RFD10P03LSM Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
43907 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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RFD10P03LSM Descrizione dettagliata

Numero di parte RFD10P03LSM
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1035pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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