,%20SC-63.JPG "RFD14N05LSM photos")
| Numero di parte | RFD14N05LSM |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 14A, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
RFD10P03L | HARRIS | RFD10P03L HARRIS TO-252 New Original Stocks | Dettagli |
 |
RFD10P03LSM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA | Dettagli |
 |
RFD12N06RLE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | Dettagli |
|
RFD12N06RLESM | FAIRC | RFD12N06RLESM FAIRC TO-252.. New Original Stocks | Dettagli |
|
RFD12N06RLESM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | Dettagli |
|
RFD14N05 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK | Dettagli |
|
RFD14N05L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK | Dettagli |
|
RFD14N05LSM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | Dettagli |
|
RFD14N05LSM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | Dettagli |
|
RFD14N05SM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | Dettagli |
