• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - シングル › 1N5806E3/TR
1N5806E3/TR

1N5806E3/TR - Microsemi Corporation

品番
1N5806E3/TR
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
UFRFRR
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
1N5806E3/TR PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
30 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください 1N5806E3/TR

1N5806E3/TR 詳細な説明

品番 1N5806E3/TR
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 150V
電流 - 平均整流（Io） 2.5A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 975mV @ 2.5A
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） 25ns
電流 - 逆リーク（Vr） 1µA @ 150V
容量Vr、F 25pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース A, Axial
サプライヤデバイスパッケージ A, Axial
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 175°C
重量 -
原産国 -

関連製品 1N5806E3/TR

画像 品番 メーカー 説明 見る
1N5802 1N5802 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL 詳細
1N5802US 1N5802US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 1A D5A 詳細
1N5803 1N5803 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL 詳細
1N5804 1N5804 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL 詳細
1N5804US 1N5804US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 1A D5A 詳細
1N5805 1N5805 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL 詳細
1N5806 1N5806 Semtech Corporation D MET 2.5A SFST 150V 詳細
1N5806/TR 1N5806/TR Microsemi Corporation UFRFRR 詳細
1N5806C.TR 1N5806C.TR Semtech Corporation DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 詳細
1N5806E3/TR 1N5806E3/TR Microsemi Corporation UFRFRR 詳細