| 品番 | 1N5804 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 100V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 1A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 875mV @ 1A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 25ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 1µA @ 100V |
| 容量Vr、F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | A, Axial |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | 詳細 |
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1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | 詳細 |
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1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | 詳細 |
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1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | 詳細 |
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1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | 詳細 |
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1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | 詳細 |
