| номер части | 1N5804 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 100V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 875mV @ 1A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 25ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 1µA @ 100V |
| Емкость @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | A, Axial |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | подробности |
|
1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | подробности |
|
1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | подробности |
|
1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | подробности |
|
1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | подробности |
|
1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | подробности |
|
1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | подробности |
|
1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | подробности |
|
1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | подробности |
|
1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | подробности |
