| Artikelnummer | 1N5806E3/TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 2.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 2.5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 25ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | A, Axial |
| Lieferantengerätepaket | A, Axial |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL | Einzelheiten |
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1N5802US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | Einzelheiten |
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1N5803 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL | Einzelheiten |
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1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Einzelheiten |
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1N5804US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | Einzelheiten |
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1N5805 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL | Einzelheiten |
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1N5806 | Semtech Corporation | D MET 2.5A SFST 150V | Einzelheiten |
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1N5806/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | Einzelheiten |
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1N5806C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | Einzelheiten |
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1N5806E3/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | Einzelheiten |
