| Artikelnummer | 1N5802 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 25ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | A, Axial |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Einzelheiten |
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1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | Einzelheiten |
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1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Einzelheiten |
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1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Einzelheiten |
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1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Einzelheiten |
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1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Einzelheiten |
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1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Einzelheiten |
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1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | Einzelheiten |
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1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | Einzelheiten |
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1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | Einzelheiten |
