| Numero di parte | 1N5802 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | A, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Dettagli |
|
1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | Dettagli |
|
1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
|
1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
|
1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
